杨士宁：为何长江存储决定跨入存储领域？

长江存储执行长杨士宁点出，为何长江决定跨入存储领域？他表示，半导体组件可分为四大块领域：首要运算CPU、存储、通讯及第四部分涵盖了物联网（IoT）感测器、模拟IC等较为分散的领域。然CPU领域行业生态较为复杂、通讯芯片领域也已经形成fabless＋foundry稳固态势，大举跨入存储这一领域仍是大有可为的。杨士宁精准点出了大陆发展存储产业的战略思考。分析指出，大陆当下大力发展存储产业是正确的。

杨士宁分析，从半导体存储器技术分类来看，目前DRAM和NAND闪存储存的总产值占全球存储器产业的95％。未来10年，IBS数据预计，NAND闪存储存的需求量还将持续增长10倍，主要应用在云端运算、智能终端机等领域。尤其大陆市场更有庞大的内在需求。

他说，有人说长江存储跨入此一市场对当前存储半导体是“打破平衡”，然他却认为正好相反，不论DRAM或是NAND市场都处于一个并“不平衡”的状态，不平衡来自于都集中在一家独大的公司，集中度越来越高。长江存储作为新的参考者，正好是要来“平衡”此一状况。

杨士宁指出，存储器是个大好的机会。大陆在先进IC的制造领域，大陆市占率为5～10％，同时在人才汇聚、国际合作的机遇和产业生态支持方面，大陆正面临一个最好的时期。

在正确的时间点，投入必要的领域就能获得客观条件的支持。大陆在全球存储器市场中，拥有55％的市场需求，有强大内需支撑。而从资金方面，国家大基金从资金和政策给予及大支持，就要看第三：人才的纵深。三大纵深：市场、资金、人才，长江存储三大发展到位。

DRAM产能 能购并就购并

杨士宁透露，有许多美国企业找上门来，希望与长存储合作。长江存储将通过自主研发与国际合作两者相结合，抓住每一个购并投资的机遇。有好的机会“能购并就购并。”

以DRAM来中，两个增加的难度存在，一方面是竞争对手手里仍有大量折旧完的产能存在，2D NAND也是如此。另一方面，现阶段DRAM市场的增长需求变得相对缓慢，很难实现经济效益。所以不会再去拚产能，因为在怎么拚也拚不过折旧尽的厂商，发展DRAM更会选择机遇寻找购并进一步实现DRAM产能的扩充。

他也提到，非常可惜台湾存储产业几十年持续投资了3、4千亿美元却没有自主性，最后付诸东流。在大陆大力发展积体电路时期，如何做好自主可控，持续发展非常重要。

全力发展3D NAND技术扩产

他指出，至于NAND方面寻找合作研发愿意联合研发的伙伴。3D NAND不论从物理特性或其架构上都具备成本优势条件，未来10年内，现今所有NAND厂都将转移到3D NAND建新的厂，所以论每家都面临同样的折旧压力。长江存储并不担心，只要全力解决技术问题即可。他强调，长江存储的目标是“在折旧期内实现盈利。”

全球存储器公司都在3D NAND产品积极准备中，2018年将会有更多64层3D NAND的产品量产上市，长江存储不会简单的跟随行业脚步，将通过跳跃式的发展，目标在2019年实现与世界前端差半代技术，2020年追赶上领先技术，与世界并行。至于目前发展，杨士宁表示“我还算满意。”

据杨士宁透露，长江存储32层3D NAND产品进展顺利，电气特性等各项指标非常好。他相当自豪的说，长江存储预计2018年第1季进设备机台，这是全球最大一层平面工厂，2019年就要达到产能满载目标，目前“压力巨大。”

“阵地战”与“运动战”结合

他进一步表示，除了站在正确的战略思考，更重要的是执行力，把事情做好。要想创业成功，找对人、砸对钱和做对事是3个必要条件。首先，要有实干精神，有胸怀有勇气，更要有创业成功的经验，其次把更多投资放在先进技术和有经济效益的领域。

在国际化的体制下，通过市场化的竞争，集结全国资源聚集全球人才，长江存储大规模投资建厂仿佛“阵地战”，每个极为可能的购并机会将成为“运动战”，做好“阵地战”与“运动战”相结合，才更有机会成功。

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