物联网市场FD-SOI制程会取代FinFET吗？
全耗尽型绝缘上覆矽（FD-SOI）制程技术正从原本的“迟到”（too-late）位置摇身一变，成为可望在物联网（IoT）与汽车市场取代鳍式场效电晶体（FinFET）的理想替代方案了。对于许多人来说，业界主导厂商代表出席一场相关领域的业界活动，象征着为这项技术背书。 “我认为，FD-SOI正蓄势待发。也许还得经过几年的时间，但它终将获得新的动能，并发展成为一项关键技术，”International Business Strategies （IBS）创办人兼执行长Handel Jones指出。 相较于FinFET，FD-SOI具备更多优点。虽然FinFET的性能极高，但少了成本效率。FD-SOI基板虽然较昂贵，但制程却较低功耗、bulk性 能更好，也更适用于RF——而这正是IoT的关键。从设计的观点来看，FD-SOI较简单，让工程师在矽后（post-silicon）仍能调整产品。 VLSI Research调查选择FD-SOI的主要原因 “如果全球最大的公司——英特尔（Intel）在进入真正的14nm时遇到困难，你就会知道这项技术并不简单。”VLSI Research执行长Dan Hutc...
