SK Hynix(海力士)即将量产10nm级DRAM闪存芯片
【大咖・来了 第7期】10月24日晚8点观看《智能导购对话机器人实践》 【51CTO.com原创稿件】据国外媒体报道,闪存芯片研发生产厂商SK Hynix(海力士)已经完成了10nm级DRAM的研发工作,并将于2017年开始大规模量产10nm级DRAM。据了解,为了增加DRAM的产品竞争优势,SK Hynix(海力士)在结束了1xnm DRAM研发工作的同时还开始1ynm DRAM的研发工作,并且同步建立了1znm DRAM的研发团队。 如果情况属实,那么SK Hynix(海力士)将成为继三星之后第二家迈入10nm DRAM的生产制造厂商。不过,三星电子在今年第二季度已经开始量产1xnm DRAM,如果SK Hynix(海力士)能在2017年第二季度实现1xnm DRAM的量产,它们之间的差距将缩减到1年。 大家知道,半导体芯片产品在制造过程中分为工程样品(ES)和客户样品(CS)两种类型。工程栏目(ES)用于内部测试,客户样品是为了在客户端测试过程中发现并修复工程样品可能存在的某些问题,当客户样品测试完成了之后可以判定完成了产品的开发过程。据了解,SK Hynix(海力士)1xnm ...
