SK Hynix(海力士)即将量产10nm级DRAM闪存芯片

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【51CTO.com原创稿件】据国外媒体报道，闪存芯片研发生产厂商SK Hynix(海力士)已经完成了10nm级DRAM的研发工作，并将于2017年开始大规模量产10nm级DRAM。据了解，为了增加DRAM的产品竞争优势，SK Hynix(海力士)在结束了1xnm DRAM研发工作的同时还开始1ynm DRAM的研发工作，并且同步建立了1znm DRAM的研发团队。

如果情况属实，那么SK Hynix(海力士)将成为继三星之后第二家迈入10nm DRAM的生产制造厂商。不过，三星电子在今年第二季度已经开始量产1xnm DRAM，如果SK Hynix(海力士)能在2017年第二季度实现1xnm DRAM的量产，它们之间的差距将缩减到1年。

大家知道，半导体芯片产品在制造过程中分为工程样品(ES)和客户样品(CS)两种类型。工程栏目(ES)用于内部测试，客户样品是为了在客户端测试过程中发现并修复工程样品可能存在的某些问题，当客户样品测试完成了之后可以判定完成了产品的开发过程。据了解，SK Hynix(海力士)1xnm DRAM的项目命名为WieAlius，目前已经有了晶圆原型，正在进行量产前可行性的最终测试。

另外，有报道称SK Hynix(海力士)即将立即执行客户样品测试的流程，这说明SK Hynix已经基本成功完成了1xnm DRAM开发。

在加快10nm DRAM量产进度的同时，SK Hynix(海力士)还全面启动了1ynm和1znm DRAM的开发工作，分别命名为“Davinci”和“Rigel”，希望通过加快这两项新项目的研发来减少与三星之间的差距，这也是SK Hynix目前正在进行的“+2”策略。所谓的“+2”策略是存储行业中完成一个产品的开发后同时开始进行后面两代产品的开发。

从***的报道来看，SK Hynix(海力士)将在2017年***季度对位于利川的M14工厂投入生产设备，为批量量产做准备，并将于2017年的第二季度开始1xnm DRAM的批量生产。

市场预测，2017年将是SK Hynix(海力士)变化***的一年，在闪存市场需求持续增长的前提下，若SK Hynix2017年的技术开发能一切顺利，其年营业利润将进一步成长。

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