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半导体业突围 芯片再进化

对半导体制造商和设备供应商来说,智慧手机和PC市场饱和,无法带动业绩成长,以往生产功能更强晶片的传统做法,预料也难扭转颓势,如今业界采用新技术,像是全耗尽型绝缘上覆矽(FD-SOI)和3D NAND。 华尔街日报(博客,微博)报导,半导体业面临的业绩压力已经引发整并风潮,最新数据也指出,今年全球半导体设备厂商营收恐怕仅成长1%至369.4亿美元,而晶片营收可能下滑2.4%,利空就是智慧手机的成长趋缓,PC市场也正在萎缩。半导体业都在问:下一个成长机会在哪里? 如今有许多业者陆续采用新材料与新生产技术来因应市场变化,这些业者看好连网装置需求,但物联网的晶片需求不一样,要求晶片成本控制在1美元以下,并且可运行数年,不需换电池。 格罗方德(GlobalFoundries)与竞争对手三星电子已经采用称为FD-SOI的技术,这项技术在耗电与成本上具有优势,仰赖法国厂商Soitec特别量身订制的半导体晶圆。 Soitec执行长布德尔说,日本科技大厂Sony近来设计的智慧手机GPS晶片便使用FD-SOI技术,结果晶片耗电量只有原本晶片的十分之一,让用户可以更频繁使用卫星定位技术,不必担心会吃掉手机太多电力。 有些业者也开始在不生产更小电晶体的情况下,进一步挖掘晶片的潜能,NAND快闪记忆体厂商已经以3D NAND的方式,透过堆叠多层电路来提升效能。这项技术需要采购许多生产设备,因此令许多厂商受惠,应用材料(Applied Materials)便是其中之一。 阅读祕书/FD-SOI 全耗尽型绝缘上覆矽(Fully Depleted Silicon-on-Insular,FD-SOI)是鳍式场效电晶体(FinFET)与三闸极电晶体架构(Tri-Gate)的互补技术,被视为是可望在物联网与汽车市场取代FinFET的理想替代方案,其特色为功耗低、性能和成本效益较佳。目前支持FD-SOI的晶圆代工厂包括格罗方德以及三星电子。 ====================================分割线================================ 本文转自d1net(转载)

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