Crossbar率先发难—欲彻底埋葬英特尔的3D XPoint技术
您是否认为英特尔的3D XPoint是目前市面上惟一的电阻式RAM(简称ReRAM)技术方案?事实上,Crossbar的ReRAM在几乎各个方面都更胜一筹,且计划于今年年内投入生产。 Crossbar公司的CMOS芯片 英特尔公司于2015年下半年匆匆投身非易失性内存(NVRAM)竞争当中,并很快公布了其3D XPoint NVRAM解决方案。然而为了能够尽快交付实际产品,芯片巨头不得不大幅下调部分技术规格,并导致最终产品无法令人满意。 3D XPoint的实际表现不仅低于市场的普遍预期,同时亦在设计层面与英特尔自家CPU绑定在一起。潜在用户自然希望在英特尔之外找到其它替代性供应商选项。 市场竞争 Crossbar公司就在这时挺身而出。这家年轻的企业诞生于2010年,专注于打造一款具有优异性能、可扩展性以及实际制造能力的完美ReRAM方案。 Crossbar公司指出,其解决方案的写入速度较NAND闪存高1000倍,功耗水平则仅相当于闪存的二十分之一,此外使用寿命同样达到闪存的1000倍以上。尽管速度与使用寿命尚无法与DRAM完全比肩,但二者的水平已经相当接近,而功耗更是优于闪存及DRA...