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侯纪磊详解高通物联网路径:集成再集成 做大生态链

在今天召开的“2017中国通信行业物联网大会”上,美国高通公司高级研发总监、中国区研发中心负责人侯纪磊指出,海量物联网将会成为移动通信产业发展的重要方向之一。 但要真正的实现5G愿景中所定义的海量物联网,还需要在节能低功耗、远程和低复杂性等几个维度进行前进。以低功耗为例,现在的模组只能支持几个月,而未来则需要达到5到10年的寿命;在远程方面,则需要满足多样性和广泛性的场景需求;在复杂度方面,主要是实现不同标准之间的融合发展,做大产业链。 侯纪磊说,海量物联网虽然是5G所定义的愿景,但垂直行业应用的角度来看,基于LTE的物联网同样是大有可为。他认为,以LTE为代表的蜂窝技术在物联网应用中具有明显的优势。首先是广覆盖,运营商可以提供无所不在的覆盖;其次是用户体验,通过广泛的IP连接提供更好的体验;在安全性和可靠性方面,基于授权频段的蜂窝技术也要比其余的LPWA技术更有优势。 作为一家底层芯片厂商,高通也在和全球产业链紧密合作,来共同推动海量物联时代的加速到来。在物联网产业链中,高通的发力点还是在自己最擅长的标准和芯片层面。针对目前NB-IoT和eMTC两种主流基于LTE的物联网技术并存的局...

物联网将如何影响半导体芯片厂商?

2016开年的科技盛会CES已经落下帷幕,在今年的CES上,虚拟现实和智能汽车成为焦点,VR将会引发的变革成了全产业链热议的话题。VR也必会给物联网产业带来变革。对于IoT可能带来的更多变化,半导体厂商该如何应对? 1月14日,由EEVIA主办的第五届年度ICT媒体论坛暨2016产业和技术趋势展望研讨会在深圳举行,在会上,众多知名芯片厂商大咖对物联网市场进行了预测,同时探讨了物联网进程中IC设计厂商所面临的挑战。 GaN与SiC的差价将变小 IC设计对于整个半导体产业非常重要,半导体材料则能影响整个半导体行业的发展。半导体产业的发展先后经历了以硅(Si)为代表的第一代半导体材料,以砷化镓(GaAs)为代表的第二代半导体材料。如今,以氮化镓(GaN)、碳化硅(SiC)、氧化锌、金刚石、氮化铝为代表的宽禁带半导体材料以更大的优势力压第一、二代半导体材料成为佼佼者,统称第三代半导体材料。对于目前较为成熟的氮化镓(GaN)、碳化硅(SiC) ,富士通电子元器件市场部高级经理蔡振宇给出了他的理解。 他认为,SiC与GaN两种材料都具备良好的开关特性以及适用于高压应用,GaN在导通电压、反向截止、...

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