容量和价格是影响闪存存储普及的最主要原因，随着闪存技术的突破，未来闪存存储将会成为主流，这是不争的事实。但是，想要全面替代HDD，并不容易。
最近，TechSpot发布消息称，SSD将于两年内突破HDD的容量/价格“临界点”。文章指出，Information Week的一份新报告，随着3D NAND技术的发展，固态硬盘不仅容量会增加、其价格还会“直线下降”。固态硬盘(SSD)的容量将于2016年赶上机械硬盘(HDD)的水平，而首款30TB的SSD产品亦有望于2018年面世。
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对于众多企业来讲，如果真像TechSpot预测的那样，绝对是利好的消息。但笔者所关心的是，SSD真能于两年之内替代HDD，恐怕没有那么简单!
在针对这一问题展开讨论之前，先来看一下SSD的优势以及最近在技术方面有哪些新的突破。
谈到SSD的优势，除了读写性能较HDD有了质的飞跃外，功耗、发热量、体积等方面也有着很大的优势，尤其在大型的数据中心，全面采用SSD能够节省很多成本，如电力、散热等。
在技术方面，最初的NAND Flash采用的是2D平面技术，虽然制造工艺已经达到了15nm的先进水平(未来甚至会将制造工艺提升至9nm)，不过在其发展过程中已经遇到了严重的瓶颈——每个闪存储存单元储存的电子越来越少，抗磨损(每次写入、擦除，需要高电压，材料对电子控制能力随之变弱)的冗余电子减少，严重影响闪存耐久。虽然随着制造工艺的提升，2D NAND FLASH单位面积内可以存储更多的电子，能够带来存储容量的提升。但是，越先进的工艺，NAND的氧化层越薄，可靠性也越差，厂商就需要采取额外的手段来弥补，这会造成制造成本的提高，以致于达到某个点之后制程工艺已经无法带来优势了。相比之下，3D NAND就解决了这一问题。
何为3D NAND呢?顾名思义，就是闪存的立体堆叠技术。Intel此前曾用平房和楼房的例子比较直观的介绍了3D NAND技术，非常容易理解。Intel表示，普通NAND是平房，那么3D NAND就是高楼大厦，建筑面积一下子就多起来了，理论上可以无线堆叠。由于闪存厂商不需要费劲心思去提高制程工艺了，转而堆叠更多的层数就可以了，这样一来3D NAND闪存的容量、性能、可靠性都有了保证了，比如东芝的15nm NAND容量密度为1.28Gb/mm2，三星32层堆栈的3D NAND可以轻松达到1.87Gb/mm2，48层堆栈的则可以达到2.8Gb/mm2。另外，在刚刚过去的7月份，东芝率先推出64层堆栈的3D NAND，这意味着，闪存的成本和容量将会进一步拉低，拉响了新一低3D NAND闪存进入存储市场的号角。
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虽然3D NAND让闪存厂商看到了希望，但想要在两年内取代HDD，绝非易事。
首先，3D NAND技术还处于起步阶段，并不成熟。即使在未来两年内，这项技术已经得到成熟的应用，但新产品在上市之初，价格也不会太便宜，不会引起企业的大面积采购。
其次，新产品取代老产品，必须获得充分的应用验证，保证足够的可靠性、可用性和安全性，这需要一个较长的周期，特别在企业级市场。即使3D NAND闪存能够尽快投入应用当中，其成熟期最快也得需要一两年的时间。
再次，机械硬盘的发展并未停滞不前，很多厂商还在继续深挖垂直记录(PMR)、叠瓦式磁记录(SMR)、充氦，推进热辅助磁记录(HAMR)、二维磁记录(TDMR)等，其中后者有望在两三年内商用，而前者虽然提了很久但依然比较遥远。
因此，笔者认为，SSD在未来两年内全部取代HDD，基本上是不可能的。
不过，在企业的关键性业务上，比如很多的互联网、金融等企业，SSD已经开始逐步占据主导地位。但是，在非关键性业务上，HDD仍然占据主导地位。
至于存储的发展方向预测，当前来看SSD绝对是未来的主流。不过，技术的发展速度太快了，谁能保证在未来会不会出现性能更强、成本更低的新技术和新产品。
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