韩国媒体报道称，三星电子宣布对半导体部门进行重大组织架构调整，正式解散成立仅一年的高带宽内存（HBM）特别开发团队，并将该团队的人员与相关业务整体并入DRAM开发部门下属的设计团队。

此次调整在日前举行的高管内部通报会上正式公布，核心变动为撤销去年7月专为加速HBM研发而设立的独立团队。原团队成员将统一划归至DRAM开发体系，继续从事高性能存储技术的研发工作。这一变动意味着HBM业务不再以独立单元运作，而是融入主流存储芯片研发架构，强化与现有DRAM产品的协同开发能力。

此前负责领导HBM特别团队的副社长孙永秀，已在新架构下被任命为DRAM部门设计团队负责人。他将延续原有职责，带领原班人马推进HBM4及HBM4E等下一代高性能存储产品的技术攻关。

该特别团队成立于2023年5月，在全永铉接任半导体部门负责人后迅速组建，旨在集中资源应对当时在HBM市场竞争中落后于对手的局面。如今团队重组，距离其成立仅过去一年多时间。业内普遍认为，此次调整反映出三星已建立起在HBM4等前沿产品上的核心技术能力，摆脱了早期需通过临时团队紧急追赶的被动状态，开始转向更深层次的技术整合与系统化研发路径。