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西数开始生产首款512GB 64层3D NAND芯片

【大咖・来了 第7期】10月24日晚8点观看《智能导购对话机器人实践》 日前,西部数据宣布其新型512GB,64层3D NAND芯片在日本四日市制造厂已经开始试生产,该芯片硅晶圆采用了TLC闪存设计(可实现每单元3位的存储量)。并且公司计划在2017年下半年开始大批量生产。是不是有些似曾相识,我们倒回2016年7月,西数宣称开始对采用其BiCS3技术的64层3D NAND进行试生产。那么时至2017年,两者之间有何不同? 2016年的芯片容量为256GB,今年发布的芯片容量是它的两倍。西数早期的BiCS2 3D NAND芯片,表面积为105平方毫米,48层,256GB容量。2016年从48层到64层不断加高,照说容量也应该有所提升,奇怪的是没有,可能西数的初代64层芯片采用了比48层芯片更大的光刻尺寸。 今年的这款3D NAND闪存芯片是基于垂直堆叠或西数与东芝合作称为BiCS(Bit Cost Scaling)的3D技术。 西数bics3 3D NAND闪存 这款***的3D NAND芯片已经用于构建口香糖大小,具有3.3TB以上存储容量的SSD和容量超过10TB的标准2.5寸SSD...

高端存储器研发再获突破 集成电路国产化进程加快

【大咖・来了 第7期】10月24日晚8点观看《智能导购对话机器人实践》 近日,长江存储和中科院微电子研究所联合承担的3D NAND存储器研发项目取得新进展,32层3D NAND芯片顺利通过电学特性等各项指标测试,达到预期要求,成功实现了工艺器件和电路设计的整套技术验证,向产业化道路迈出具有标志性意义的关键一步。 存储器作为我国集成电路支柱产业,目前主要依赖进口,我国对DRAM和NAND Flash产品需求占全球消费量的比例超过20%。同时,存储器也是半导体产业资本支出***的领域,占整个行业的38%。 3D NAND作为一种创新的半导体存储技术,通过增加存储叠层实现存储密度增长,拓宽了存储技术的发展空间,但其结构的高度复杂性给工艺制造带来全新的挑战。目前在3D NAND领域,三星量产了48层产品,64层和90层产品正在研发中。在大数据需求快速增长的驱动下,存储器芯片已成为电子信息领域市场份额***的集成电路产品,潜在市场空间巨大。 为加快存储器国产化进程,国家半导体基金对该领域的投资力度加大。去年12月由紫光集团联合国家集成电路产业基金、湖北省地方基金、湖北省科投共同投资建设的国家存储...

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Spring框架(Spring Framework)是由Rod Johnson于2002年提出的开源Java企业级应用框架,旨在通过使用JavaBean替代传统EJB实现方式降低企业级编程开发的复杂性。该框架基于简单性、可测试性和松耦合性设计理念,提供核心容器、应用上下文、数据访问集成等模块,支持整合Hibernate、Struts等第三方框架,其适用范围不仅限于服务器端开发,绝大多数Java应用均可从中受益。

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