西数开始生产首款512GB 64层3D NAND芯片
【大咖・来了 第7期】10月24日晚8点观看《智能导购对话机器人实践》 日前,西部数据宣布其新型512GB,64层3D NAND芯片在日本四日市制造厂已经开始试生产,该芯片硅晶圆采用了TLC闪存设计(可实现每单元3位的存储量)。并且公司计划在2017年下半年开始大批量生产。是不是有些似曾相识,我们倒回2016年7月,西数宣称开始对采用其BiCS3技术的64层3D NAND进行试生产。那么时至2017年,两者之间有何不同? 2016年的芯片容量为256GB,今年发布的芯片容量是它的两倍。西数早期的BiCS2 3D NAND芯片,表面积为105平方毫米,48层,256GB容量。2016年从48层到64层不断加高,照说容量也应该有所提升,奇怪的是没有,可能西数的初代64层芯片采用了比48层芯片更大的光刻尺寸。 今年的这款3D NAND闪存芯片是基于垂直堆叠或西数与东芝合作称为BiCS(Bit Cost Scaling)的3D技术。 西数bics3 3D NAND闪存 这款***的3D NAND芯片已经用于构建口香糖大小,具有3.3TB以上存储容量的SSD和容量超过10TB的标准2.5寸SSD...
