摩尔定律在7nm以下的挑战和解决办法
7纳米制程节点将是半导体厂推进摩尔定律(Moore's Law)的下一重要关卡。半导体进入7纳米节点后,制程将面临更严峻的挑战, 不仅要克服晶圆刻蚀方面、热、静电放电和电磁干扰等物理效应,同时要让信号通过狭小的线也需要更大的电力,这让芯片设计,检查和测试更难。 KLA-Tencor:7纳米以下制程需有效降低显影成型误差 KLA-Tencor针对7纳米以下的逻辑和尖端记忆体设计节点推出了五款显影成型控制系统,以帮助芯片制造商实现多重曝光技术和EUV微影所需的严格制程公差。在IC制造厂内,ATL叠对量测系统和SpectraFilm F1薄膜量测系统可以针对finFET、DRAM、3D NAND和其他复杂元件结构的制造提供制程表征分析和偏移监控。 Teron 640e光罩检测产品系列和LMS IPRO7光罩叠对位准量测系统可以协助光罩厂开发和鉴定EUV和先进的光学光罩。5DAnalyzer X1高级资料分析系统提供开放架构的基础,以支持晶圆厂量身定制的分析和实时制程控制的应用。这五款新系统拓展了KLA-Tencor的多元化量测、检测和资料分析的系统组合,从而可以从根源上对制程变化进行识别和纠...