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科技界突破性进展:原子级别存储器!

日期:2020-11-25点击:620

在科学家的努力下,已经造出了世界最小的存储单元,其尺寸真的是小到让人惊叹。

据外媒New Atlas报道,得克萨斯大学的工程师们创造了有史以来最小的记忆存储设备之一,由一种二维材料制成,横截面面积只有一平方纳米。

这种被称为 “原子电阻”的装置是通过单个原子的运动来工作的,这将为具有难以置信的信息密度的更小的记忆系统铺平道路。

这种新设备属于一类新兴的电子器件,称为记忆电阻(Memristors),它使用电阻开关存储数据。从本质上讲,当某种材料暴露在一定的电压下时,其电阻可以切换,变得更强或更弱。这种现象可用于将数据写入设备,随后可测量其相对电阻以“读取”存储的数据。


该团队表示,新装置是有史以来最小的原子存储器单元。二硫化钼被制作成尺寸为1×1纳米的薄片,厚度只有一个原子。 如果要扩大规模,它可以用来制造每平方厘米约25TB的存储容量的芯片,这比目前的闪存所能提供的容量高100倍左右。它运行所需的能量也更少 。

原文链接:http://stor.51cto.com/art/202011/632779.htm
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