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紫光组建存储芯片事业群,"台湾存储教父"任CEO

网易科技-IT 2019-7-1 11:40 15已围观 收藏 加入我们

(原标题:紫光组建存储芯片事业群,“台湾存储教父”任CEO)

(观察者网讯)

紫光集团微信公众号“紫光集团”(ID:ziguangjituan)6月30日发布公告称,决定组建紫光集团DRAM事业群,全力加速发展国产内存。

根据通知,紫光集团委任刁石京为紫光集团DRAM事业群董事长,委任高启全为紫光集团DRAM事业群CEO。

从行业角度看,目前全球超过90%的DRAM市场份额集中在三星、海力士、美光这三家公司手里,国内DRAM制造厂商仅有两家(尚未大规模投产),此次紫光集团进击DRAM,或将对全球DRAM市场产生深远影响。

短期看,国内DRAM厂商可能无法撼动“三巨头”的地位,但假以时日,背靠广阔的中国市场和国产替代机遇,则有望打破寡头格局。

图片来自微信公众号”紫光集团”

目前,紫光集团正在DRAM内存、NAND闪存、SSD固态硬盘、移动处理器、5G基带等各种国产芯片上加速发力。

经过多年的发展,紫光集团在存储器的设计制造领域已形成一定基础,积累了从设计、生产、测试、方案构建到全球量产销售等研发和产业化经验。在DRAM领域,紫光集团旗下西安紫光国芯自主创新出全球首系列内嵌自检测修复DRAM存储器产品(ECC DRAM)。紫光集团借助长江存储和武汉新芯的平台,聚集了大量的三维闪存和DRAM的工艺研发人员,工艺研发人员人数近2000人。目前长江存储和武汉新芯的员工人数近6000人。

紫光表示,在DRAM内存芯片上,该公司已具备世界主流设计水平。现阶段,紫光的主流内存产品仍然是DDR3,紫光此前2018年曾表示DDR4内存芯片正在研发中,预计2018年底前完成,并推向市场。不过2018年底紫光表示不会年内推出,DDR4内存芯片仍在在研发中,预计2019年开始逐步推向市场、

公开资料显示,刁石京在ICT(信息、通讯与技术)领域拥有超过30年的行业工作经验,曾先后担任国家工业和信息化部电子信息司司长、国务院信息化工作办公室综合组副巡视员、信息产业部办公厅部长办公室副主任等职务。

从1980年起,高启全便在半导体及DRAM领域从业,先后在美国仙童半导体、英特尔等公司任职。1987年高启全加入台积电任一厂厂长,后创办旺宏电子,高启全还曾任台湾DRAM公司南亚科技总经理、华亚科技董事长等职务,是华人在全球DRAM界最资深的人士之一,有“台湾存储教父”之称。

“国之重器”

据中国证券报7月1日介绍,DRAM即动态随机存储芯片,它是主存储器(又可称为内存)的一种,区别于NAND Flash代表的外储存器(指除内存及CPU缓存以外的储存器,此类储存器一般断电后仍然能保存数据)。

存储芯片种类(图片来自网络)

作为最常见的系统内存,DRAM具有高容量、大带宽、低功耗、短延时、低成本等特点,广泛用于PC、手机、服务器等领域,是集成电路产业产值占比最大的单一芯片品类。而FLASH具有寿命长、体积小、功耗低、非易失性等特点和优势,广泛应用于消费电子、移动通信、网络通信、个人电脑、服务器等领域,主要用于代码存储和数据存储等,是近年来发展较快的存储器芯片产品。

在不少卖方研报中,DRAM被看作“国之重器”,其重要性不言而喻。然而,作为第一大DRAM消费市场,中国大陆却几乎没有自主产能。以2018年为例,根据智研咨询统计,中国集成电路进口额达到3120亿美元,其中存储芯片为1230亿美元(同比增长1188.99%),占集成电路进口总额的39%。

值得注意的是,受智能手机内存提升、大规模建设数据中心、物联网快速发展、汽车电子等下游需求的带动,2016年第二季度开始,存储器价格一路飙升,也让存储器在2017年成为集成电路最大细分领域。据WSTS数据,2017年全球存储器市场规模达到1240亿美元,同比增长61.5%,市场份额为30.1%。

不过,今年以来,受库存过高等因素影响,DRAM价格跌跌不休。根据集邦咨询半导体研究中心调查显示,2019年第一季度,DRAM合约价跌幅持续扩大,整体均价已下跌逾20%;第二季整季跌幅逼近25%;该机构近期正式下修第三季DRAM价格展望,跌幅由原先预估的10%,扩大至10%-15%。

价格下跌,令厂商态度保守,纷纷削减资本开支。集邦咨询指出,2019年DRAM产业用于生产的资本支出总金额约为180亿美元,较去年缩减约10%,为近年来最保守的投资水位。在DRAM寡头市场中,由于没有新进竞争者的威胁,各供应商选择透过调整产出,来避免削价竞争。

敢于亮剑

目前,韩国的三星和海力士,以及美国美光,这三家企业占据了全球90%以上的DRAM市场份额,呈现寡头竞争格局。可以期待的是,在存储芯片领域(IDM模式),国内三位探路者已经点燃了“星星之火”。

2016年,长江存储在NOR Flash晶圆制造商武汉新芯的基础上,由紫光集团联合国家集成电路产业基金、湖北省地方基金、湖北省科投共同投资组建而成,负责国家存储器基地项目(总投资约为240亿美元)的研发、建设和运营。长江存储于2017年研制成功中国第一颗3D NAND闪存芯片。2018年8月公开发布其突破性技术——XtackingTM。据中国证券报记者了解,尽管32层3D NAND已有小批量生产,但大批量生产并不在长江存储的计划之内,其瞄准的是与全球巨头缩小差距,尽快追上64层甚至128层的全球领先水平。

值得一提的是,2015年紫光集团试图以230亿美元收购美光,借此进入DRAM和三维闪存领域,但最终未能如愿。

2016年5月,长鑫存储在安徽合肥成立。2017年10月,主营产品包括NOR Flash的A股公司兆易创新发布公告,与合肥市产业投资控股有限公司签署合作协议,约定双方在安徽省合肥市经济技术开发区合作开展工艺制程19nm存储器的12英寸晶圆存储器(含DRAM等)研发项目,项目预算约为180亿元。今年5月15日,长鑫存储董事长朱一明表示,公司已累计投入25亿美元研发费用,建成严谨合规的研发体系和独有技术体系。

福建晋华于2017年2月落地晋江,该项目规划面积594亩,一期总投资370亿元,主要建设12英寸DRAM晶圆生产线,产能规模为月产6万片内存晶圆;二期将新增6万片内存晶圆产能规模。在技术路径上,将首先依托联华电子集团共同开展产品研发和制程设计,达到一期项目产品要求后,转入自主建设研发体系、自主开发新世纪产品,持续跟进全球内存制造前沿技术。遗憾的是,2018年10月,福建晋华被美国商务部列入“实体清单”。在今年1月25日的声明中,晋华表示,已向美国商务部最终用户审查委员会提交信函,声明公司准备递交正式申诉。

现在,DRAM制造领域又添国产“新面孔”,紫光集团将在发展壮大我国存储芯片产业的道路上担当重任。

刁石京此前接受中国证券报专访时表示:“事实上,中国在全球信息产业发展过程中已经做了巨大贡献,由于我们的加入,促进了整个产业的竞争,极大地降低了信息产品的价格,才让全世界人民,特别是低收入国家的老百姓,有机会用上很多信息产品,比如智能手机。通过这些产品的使用,极大程度缩小了数字鸿沟。”

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